多晶硅、單晶硅微波、紅外復合專用烘干生產線工藝設備要求：

1、物料特性： 干燥物料名稱：多晶硅料。

2、物料形狀：1mm-8mm、8mm-50mm、50mm-150mm 三種規(guī)格，不規(guī)則形狀。

3、含水率：硅料表面水分，小顆粒的為經過甩干后的水分。

干燥原理及控制點：

1、采用干燥原理：連續(xù)式，微波溫控干燥。

2、微波精度控制：≤1％。 溫度控制點：多點控溫，烘干過程中硅料溫度≤120℃。

3、傳動系統(tǒng)：PTFE特氟龍高溫布，可變頻調速。 輸送帶回程清理：帶自動電動毛刷清掃裝置。

4、微波泄漏量：≤2mW/cm2，測量方法按GB 5959.6-2008中規(guī)定執(zhí)行。

生產能力：

1、設計生產能力250KG/h，24h連續(xù)流水式作業(yè)，烘干后需加冷卻降溫到40℃。

2、設備配置與功能 設計總功率120kw，微波功率90kw，紅外功率90kw，循環(huán)冷卻水流量約14m3/h，排風量3600m3/h。

3、設備長16.75m，寬1.4m，高2.2m。 操作柜與微波電源柜同側布置，操作柜靠近上料端，從操作臺處面對設備，設備為右進左出。

4、設備主體： 設備主體由布料系統(tǒng)、微波抑制器（首尾各一個）、微波腔體、微波發(fā)生器、傳送裝置、排濕冷卻系統(tǒng)、下料冷卻系統(tǒng)組成。

5、設備機架整體采用304不銹鋼材料制作，微波腔體采用316L不銹鋼。 微波腔體長9m、寬1.5m、高0.48m。

6、布料系統(tǒng)： 采用料倉加直線篩給料裝置結合，料倉容積0.15立方。料倉內壁等與硅料接觸的部分，使用高純PU材質內襯，出口處PU內襯需突出殼體30mm以上，防止物料污染。

7、設備廠家提供合理的上料方式，上料高度與地面距離不超過1100mm，料斗高度根據系統(tǒng)合理設計，布料系統(tǒng)采用下圖所示方式：

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